Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування

Abstract

Розроблено математичні моделі глибокого оплавлення елементів з оптичного скла при дії електронного променю. Проведено розрахунки товщини оплавленого шару і швидкостей руху поверхні розділу фаз в залежності від параметрів електронного променю (густини та часу його теплового впливу). Встановлено, що при зміні густини теплового впливу променю в діапазоні 7∙10^6...8,5∙10^8 Вт/м^2 і збільшенні часу його впливу до 14 с товщина оплавленого шару може досягати 300...500 мкм. Визначено критичні значення параметрів електронного променю, перевищення яких призводить до порушення площинності оптичних елементів, зміни їх геометричної форми і погіршення техніко-експлуатаційних характеристик приладів, аж до їх виходу з ладу.